Samsung Electronics представиха първия работещ чип, произведен чрез 3 нанометров технологичен процес, в който се използват новия тип MBCFET транзистори. Това е SRAM – статична оперативна памет с произволен достъп. Параметрите на тази памет са значително по-добри от тези на сегашните 7 nm памети по всички параметри – скорост, плътност на транзисторите, консумация на електрическа енергия и т.н. Samsung вече се подготвя за масовото производство на чипове с MBCFET (multi-bridge channel FET) транзистори, което е планирано да започне през 2022 година.

Производството на MBCFET чипове не изисква използването на ново оборудване – достатъчна е по-фината настройка на сега съществуващите поточни линии. Досега имаше само слухове и неофициална информация за новата технология, но ето че Samsung Electronics показа реално работещ чип, произведен чрез 3 нанометров технологичен процес, в който се използват новите MBCFET транзистори.

Тестовете на Samsung Foundry показват, че в сравнение със 7 нанометровия технологичен процес, новото технологично решение гарантира съвсем същата производителност при двойно по-ниска консумация на енергия. При 30% по-висока производителност в сравнение с днешните решения и същата консумация на енергия, плътността на транзисторите е с 80% по-висока. Това е един от най-важните параметри, понеже дава възможност на Samsung да произвежда по-компактни памети и логически елементи на базата на силициеви кристали с много по-малък размер.

Според Bloomberg, Samsung ще започне масовото производство на 3 nm чипове в края на следващата година.

Вашият коментар

Вашият имейл адрес няма да бъде публикуван. Задължителните полета са отбелязани с *