Китай представи транзистор с рекордно малък гейт - едва 0,45 nm

Китайски учени създадоха съвсем нов дизайн на полевия транзистор. Благодарение на тази уникална конструкция те са произвели най-малкия света транзистор с размер на гейта едва 0,34 nm. По-нататъшното намаляване размера на гейта е невъзможно, понеже вече става дума за гейт с размер един въглероден атом.

Китайските специалисти официално представиха новия транзистор в списание Nature. Устройството е обявено като вертикален транзистор със странична стена. Идеята за вертикално поставяне на гейта на полевия транзистор не е нова и вече е реализирана от компаниите Samsung и IBM. Но китайските учени учудиха целия свят. Гейтът в новия транзистор е само един-единствен атомарен слой графен, дебелината на който е добре известна - около 0,34 nm, каквото всъщност е дебелината на един въглероден атом. Най-учудващото е, че за производството на новия транзистор не са необходими най-съвременните литографски скенери. За създаването на транзистор с толкова малък гейт се използва вакуумно отлагане.

Съвсем накратко е описана и самата технология. Използва се стандартна силициева подложка, върху която във вид на две стъпълца е поставена сплав от титан и паладий. Върху по-високото стъпало се поставя графеново фолио с дебелина 0,34 nm, като не е необходима много голяма точност - тя се постига по-късно чрез стандартен процес на ецване. Върху тънкия лист от графен се изгражда слой от алуминиев окис, който се използва като изолатор на цялата структура. Върху двете стъпалца и отстрани на този транзистор се нанася тънък слой от хафниев оксид, а върху него - молибденов диоксид (MoS₂). В крайна сметка се получава транзистор със структура от два атома и размер на гейта едва 0,34 nm.