Нов тип DRAM е в състояние да ускори развитието на изкуствения интелект

Offnews Последна промяна на 09 февруари 2021 в 15:50 391 0

DRAM1

Американски и белгийски учени работят върху нов тип DRAM памет без кондензатори. Новата оперативна памет може да бъде интегрирана директно в триизмерните слоеве над силиция на процесора. Тестовете на новата памет вече започнаха и ако се окажат успешни, новата технология ще даде възможност за значителна икономия на площ и енергия при работата на големите невронни мрежи.

Към днешен ден "стената на паметта" е основният проблем в работата на изчислителните системи. Това е разликата между времето на обработката и времето, необходимо за подаването на данните от отделните чипове памет към процесора. Бързото развитие на изкуствения интелект иаостри проблема.

Специалистите заявиха, че новият тип DRAM, който е направен от оксидни полупроводници, запазва битовете стотици и хиляди пъти по-дълго. При обикновената DRAM памет зарядът на кондензатора постепенно изтича през транзистора и това е причината всички клетки на тази памет да бъдат периодично обновявани. В съвременната DRAM памет това става на всеки 64 милисекунди.

Вграждането на DRAM в процесорния кристал има ограничения. Най-сложно е интегрирането на кондензатор и транзистор със свръхниско изтичане.

1
1

Новата DRAM памет има само два транзистора и няма какъвто и да било кондензатор (2T0C). Самият гейт на транзистора се използва като естествен кондензатор със съвсем малък капацитет и зарядът, който всъщност е един бит информация, се съхранява именно там.

Оказа се, че 2T0C технологията не работи добре с силициевите логически транзистори. Битовите често изчезват, понеже капацитетът на гейта на транзистора е твърде малък, а изтичането през транзисторите е твърде голямо. Ето защо учените са използвали полупроводници от аморфен оксид. Полупроводникът от този тип регулира тока, като по този начин се ускорява записа, а при този процес се използва съвсем малко заряд, което увеличава технологичното време на живот на битовете.

Американският екип е използвал индиев оксид, легиран с един процент волфрам. Белгийските учени са използвали индиев оксид, галий и цинк в ролята на полупроводник. Резултатите са сходни.

За писането на коментар е необходима регистрация.
Моля, регистрирайте се от TУК!
Ако вече имате регистрация, натиснете ТУК!

Няма коментари към тази новина !